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前言
1966, 8(5): 267-267. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0267
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锂漂移金硅面垒型探测器
1966, 8(5): 268-268. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0268
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金-硅面垒型探测器的制备
1966, 8(5): 283-283. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0283
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金-硅面垒型探测器的试制
1966, 8(5): 289-289. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0289
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金-硅面垒型探测器
1966, 8(5): 291-291. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0291
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半导体探测器的测试和应用
1966, 8(5): 294-294. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0294
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半导体探测器使用中的一些情况
1966, 8(5): 301-301. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0301
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半导体探测器噪声的测量
1966, 8(5): 306-306. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0306
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半导体探测器能量分辨率的测量
1966, 8(5): 311-311. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0311
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厚硅半导体探测器表面现象的研究
1966, 8(5): 318-318. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0318
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硫化镉单晶辐射剂量仪的试制
1966, 8(5): 330-330. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0330
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硫化镉晶体作为γ辐射剂量率元件的研究情况简介
1966, 8(5): 336-336. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0336
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宽基硅二极管快中子剂量仪元件的研制情况简介
1966, 8(5): 338-338. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0338
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全国第一次迴旋加速器技术交流会
1966, 8(5): 342-342. DOI: 10.7538/yzk.1966.8. 05.0342
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