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1999, 33(4): 289-289. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0289
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扫描电子显微镜测量靶丸表面形貌
1999, 33(4): 290-290. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0290
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李祝霞、卓益忠、茅广军获第六届吴有训物理奖
1999, 33(4): 293-293. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0293
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热蒸发制备自支撑Ａｌ平面薄膜靶的参数测量
1999, 33(4): 294-294. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0294
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惯性约束聚变靶材中间体氘代乙醛的合成与表征
1999, 33(4): 297-297. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0297
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聚苯乙烯靶材料卤代改性研究
1999, 33(4): 301-301. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0301
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新型惯性约束聚变靶材料碳气凝胶研制
1999, 33(4): 305-305. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0305
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金属泡沫Ａｌ激光靶的研制
1999, 33(4): 309-309. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0309
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超低密度二氧化硅气凝胶制备新方法
1999, 33(4): 314-314. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0314
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Ｃ_ｘＨ_(１－ｘ)薄膜制备
1999, 33(4): 319-319. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0319
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北京核科学中心成立
1999, 33(4): 322-322. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0322
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整体式空腔靶制备工艺
1999, 33(4): 323-323. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0323
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薄壁玻璃微球制备工艺
1999, 33(4): 326-326. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0326
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水热法制备ＺｒＯ_２高折射率薄膜
1999, 33(4): 328-328. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0328
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低折射率ＳｉＯ_２光学增透薄膜的结构控制
1999, 33(4): 332-332. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0332
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软Ｘ射线多层膜技术
1999, 33(4): 337-337. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0337
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软Ｘ光激光Ｓｎ衰减膜的制备及测量
1999, 33(4): 340-340. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0340
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８．０ｎｍ Ｘ射线激光反射镜Ｍｏ／Ｂ-４Ｃ多层膜制备及其特性
1999, 33(4): 343-343. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0343
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静电振动法制备核靶
1999, 33(4): 346-346. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0346
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氘化钛阴极的制备
1999, 33(4): 350-350. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0350
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真空蒸发法制备自支撑多层靶
1999, 33(4): 353-353. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0353
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硼靶制备技术的研究
1999, 33(4): 357-357. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0357
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氢气还原金属氧化物
1999, 33(4): 360-360. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0360
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~(９２)Ｍｏ同位素氧化物靶的制备
1999, 33(4): 364-364. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0364
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自支撑Ｍｇ靶膜的制备
1999, 33(4): 366-366. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0366
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碳剥离膜的制备
1999, 33(4): 368-368. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0368
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自支撑Ｃａ靶膜的制备
1999, 33(4): 372-372. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0372
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电沉积法制备铁靶
1999, 33(4): 374-374. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0374
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高压电极表面改性及其效果研究
1999, 33(4): 378-378. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0378
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ＬａＮｉ_(４.７)Ａｌ_(０.３)材料的吸、放氘行为研究
1999, 33(4): 382-382. DOI: 10.7538/yzk.1999.33.04.0382
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