摘要: <正> 半导体的离子注入,就是使杂质元素(如硼,磷,砷)的离子,在加速电压的作用下达到5～100千电子伏的能量,对半导体衬底进行轰击,以得到所需要的杂质浓度的方法。 离子束在半导体领域内的应用早已发现,而且一直在进行研究。1948年首先报道了用离子束使半导体电导类型转变的实验;1952年发表了用各种不同的气体离子轰击硅表面可