摘要: 本文叙述了搪瓷法制备~(241)Am低能光子源的方法,对源的主要性能进行了测试。搪瓷工艺是制备~(241)Am低能光子源的一种较新方法。含镅搪瓷釉在钨合金或不锈钢上的密着性能良好,水溶性小,中子发射率低,能谱好,是源安全使用的较好化学形态。搪瓷法制源工艺简单,容易操作。用本工艺制备的密封源已经有关专业会议鉴定,符合使用要求。