摘要: 中子进入充有气体的正比管,产生反冲质子。由于正比管的几何尺寸有限,在反冲质子谱的测量中必须考虑壁端效应的影响。蒙特卡罗方法可以比较精确的模拟反冲质子在几何边界的飞越状况,从而得到比较真实的反冲质子谱。本文在给出反冲质子谱解析表达式的基础上提出了一种计算反冲质子谱的相关蒙特卡罗方法,比通常采用的禁区方法有较大的优越性。计算结果与实验结果符合得比较好。相关方法的方差比禁区方法的方差有所减小,平均约减小1/3。