摘要: <正> 一、前言 随着半导体工业的发展,对硅单晶的纯度要求越来越高,硅单晶中的杂质水平,一般在ppb级以下。因此,硅单晶中痕量杂质的分析,用一般的化学分析方法已不能满足要求。目前,多采用灵敏度高的中子活化分析方法。 本工作采用非破坏性的中子活化分析方法,分析了不同硅材料厂提供的硅多晶和区熔硅单晶样品,给出了Cu,Na,Au,La,Ga,Sb,Cr.Sc、Fe、Ni、Zn.Ag.Cs、K.Ce等十六种杂质元素的含量或探测极限值。