摘要: <正> 一、前言 从反应堆水平孔道出来的热中子束,伴随着强的γ射线和快中子,这些γ射线和快中子是各种谱仪的本底计数和工作场所的辐射剂量的主要来源,为此,常采用晶体过滤器等加以控制和消除。而决定晶体材料过滤特性的主要参数是晶体的全截面。对于单晶硅,最早由Brugger测定了25,50和70 meV三个能量点的全截面,并拟合成一条能量从几