摘要: 采用双离子束技术在Ｓｉ（１００）衬底上沉积锆氧化物薄膜。由背散射（ＲＢＳ）技术对形成薄膜进行了剖面测量。结果表明，在相同的溅射锆沉积速率条件下，不同流强的氧离子轰击所形成的薄膜，其组成也不同。深度剖面的Ｏ／Ｚｒ原子比值为不同的常数表征了不同价态的锆氧化物的生成。最后作了相应的讨论。