摘要: 用负的ＳＩＭＳ分析技术进行Ｈ同位素相对含量随Ｔｉ膜深度变化的分析，获得了氘随膜深度变化的分布曲线。在接近膜表面的一个深度范围内，除有明显的Ｏ－、ＣＯ－和很微弱的ＯＨ－、ＯＤ－及ＣＨＯ－峰谱外，还有很大的Ｄ－二次离子质谱峰，氘的丰度估计约为９８％。在靶膜内部，氘的丰度达９９％以上。在接近膜与底衬交界面的地方，Ｄ－谱峰很小，Ｏ－谱峰为痕迹量。文章对分析结果进行了讨论。