摘要: 用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟了用铁屏蔽Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ快中子源时不同条件下的透射率随铁厚度的变化规律。研究了（ｎ，２ｎ）反应对快中子慢化的作用，使较低能量的中子产生了累积效应，并分析了反射中子二次进入屏蔽体时透射率的变化规律。推荐了多层屏蔽体的铁的适当厚度，与国外数据符合较好。