摘要: 首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。研究表明：选取重核做靶可以不同程度地提高质子产生截面，质子的微分产额（ｄ２ＹｄＥｄΩ）可达１．６６×１０－３ｓ－１·ｓｒ－１·ｅＶ－１。可以用ＢＥＰＣ次级束中的质子做翻转截面比较大（σ＝１０－８ｃｍ２）的半导体器件的单粒子效应实验研究。