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重离子径迹模板法电化学制备聚吡咯纳米线

    摘要
  • 摘要: 采用蚀刻的聚碳酸酯（PC）离子径迹膜为模板，结合电化学沉积技术，制备出了直径为100～320 nm、长度从几μm到30 μm的聚吡咯纳米线。利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、透射电子显微镜（TEM）对纳米线的形貌进行了表征。结果表明，所制备出的聚吡咯纳米线均呈圆柱形，且表面光滑、粗细一致。聚吡咯纳米线的紫外-可见（UV-Vis）光谱分析表明，随着聚吡咯纳米线直径增加，聚吡咯纳米线吸收峰展宽，且峰位向长波方向移动。

     

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